參數(shù)資料
型號(hào)： FQI12N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 12.1 A, 500 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 617K
代理商： FQI12N50
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2002
F
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N otes :
(t) = 0.70
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 6.05 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI12N60 600V N-Channel MOSFET
FQI12P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI12P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI13N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
FQI12N50TU 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQI12N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI12N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI12N60CTU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI12N60TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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