參數(shù)資料
型號(hào)： FQI16N25C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 15.6 A, 250 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 870K
代理商： FQI16N25C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10 ms
100
μ
s
DC
1 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
※
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 7.8 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
10
-2
10
-1
10
0
N ote s :
1 . Z
θ
JC
(t) = 0.90
2 . D uty F actor, D = t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M a x.
℃
single pulse
D = 0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u are W a ve P u lse D u ration [se c]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB17N08 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 25 FT, NON BOOT, WHITE
FQB17P10 100V P-Channel MOSFET
FQB17P06 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 10 FT, SNAGLESS, GRAY
FQB19N20C 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI16N25CTU 功能描述:MOSFET N-CH/250V/16A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17N08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET
FQI17N08L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI17N08LTU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17N08TU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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