參數(shù)資料
型號： FQI17N08L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述： 16.5 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： FQI17N08L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, August 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI17P10 100V P-Channel MOSFET
FQI17N08 80V N-Channel MOSFET
FQI17P06 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, SNAGLESS, GRAY
FQI19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQB19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI17N08LTU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17N08TU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17N40TU 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQI17P06TU 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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