參數(shù)資料
型號(hào)： FQI30N06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 600K
代理商： FQI30N06
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB30N06 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI32N12V2 120V N-Channel MOSFET
FQB32N12V2 120V N-Channel MOSFET
FQI32N20C 200V N-Channel MOSFET
FQB32N20C 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI30N06L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA
FQI30N06LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI32N12V2 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET
FQI32N12V2TU 功能描述:MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI32N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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