參數(shù)資料
型號： FQI4N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 4.4 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 539K
代理商： FQI4N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
N ote s :
1. Z
2. D u ty F actor, D =t
1
/t
2
3. T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
J C
(t) = 1.18
/W M ax.
J C
(t)
sing le pu lse
D = 0.5
0 .02
0 .01
0 .2
0 .05
0 .1
Z
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 2.2 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB4N80 800V N-Channel MOSFET
FQI4N80 800V N-Channel MOSFET
FQB4N90 900V N-Channel MOSFET
FQI4N90 900V N-Channel MOSFET
FQB4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI4N60TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI4N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQI4N80TU 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI4N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQI4N90TU 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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