參數(shù)資料
型號： FQI5P10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V P-Channel MOSFET
中文描述： 4.5 A, 100 V, 1.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 655K
代理商： FQI5P10
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, August 2002
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
(N-Channel)
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Compliment of DUT
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQB5P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET)
FQI5P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET)
FQB60N03L N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
FQB6N50 500V N-Channel MOSFET
FQI6N50 500V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQI5P10TU 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI5P20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET
FQI5P20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI60N03L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-262AA
FQI60N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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