參數(shù)資料
型號： FQI5P20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET)
中文描述： 4.8 A, 200 V, 1.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 631K
代理商： FQI5P20
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
PAK
相關PDF資料
PDF描述
FQB60N03L N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
FQB6N50 500V N-Channel MOSFET
FQI6N50 500V N-Channel MOSFET
FQB6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQI6N60C 600V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQI60N03L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-262AA
FQI60N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI630 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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