參數(shù)資料
型號(hào)： FQI6N70
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 700V N-Channel MOSFET
中文描述： 6.2 A, 700 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 778K
代理商： FQI6N70
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB70N10 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQI70N10 CAP 180PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQB70N08 80V N-Channel MOSFET
FQB7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB7N10 100V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI6N70TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI6N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQI6N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQI6N90TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI6P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
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