參數(shù)資料
型號(hào)： FQP1N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： QFET N-CHANNEL
中文描述： 1.2 A, 600 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 519K
代理商： FQP1N60
3
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
Note
1. V
DS
= 50V
2. 250￥ìs Pulse Test
-55é
150é
25é
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25é
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Note :
1. 250￥ìs Pulse Test
2. T
C
= 25é
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
25é
150é
Note :
1. V
GS
= 0V
2. 250￥ìs Pulse Test
I
D
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
V
DS
= 120V
Note : I
D
= 1.2 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
QFET N-CHANNEL
FQP1N60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP1P50 500V P-Channel MOSFET
FQP20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP20N06 60V N-Channel MOSFET
FQP22N30 300V N-Channel MOSFET
FQP22P10 100V P-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP1P50 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP20N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP20N06_Q 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP20N06L 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP20N06TSTU 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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