參數(shù)資料
型號： FQPF3N50C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 3 A, 500 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 1269K
代理商： FQPF3N50C
8
www.fairchildsemi.com
FQP3N50C/FQPF3N50C Rev. A
F
Mechanical Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
±
0
1
(
(
(
(
(
(
°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料
PDF描述
FQP3N60C 600V N-Channel MOSFET
FQP3N60 600V N-Channel MOSFET
FQP3N80C 800V N-Channel MOSFET
FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQPF3N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF3N80C 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF3N80CYDTU 功能描述:MOSFET N-CH/800V/3A/C-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF3N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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