參數(shù)資料
型號： FQT3P20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V P-Channel MOSFET
中文描述： 0.67 A, 200 V, 2.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 650K
代理商： FQT3P20
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
1
2
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -100V
V
DS
= -40V
V
DS
= -160V
※
Note : I
D
= -2.8 A
-
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
GS
V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
※
Notes :
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT4N20 200V N-Channel MOSFET
FQT4N25 250V N-Channel MOSFET
FQT5P10 250V N-Channel MOSFET
FQT7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQT3P20TF 功能描述:MOSFET -200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT3P20TF_SB82100 功能描述:MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT4N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQT4N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT4N20LTF 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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