參數(shù)資料
型號(hào)： FQU2N80
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 800V N-Channel MOSFET
中文描述： 1.8 A, 800 V, 6.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 639K
代理商： FQU2N80
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, September 2000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
※
N o tes :
1 . Z
θ
J C
(t) = 2.5
℃
/W M ax.
2 . D uty F acto r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t)
single p ulse
D = 0.5
0 .02
0 .2
0 .05
0 .1
0 .01
Z
θ
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [se c ]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.2 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD2N80 800V N-Channel MOSFET
FQU2N90 900V N-Channel MOSFET
FQD2N90 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V、漏電流為1.7A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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FQD2P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FQU2N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQU2N90TU 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQU2N90TU_WS 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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