參數(shù)資料
型號(hào)： FS100R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： FS100R12KE3
I
C, nom
I
C
100
140
A
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,1
V
-
2
t.b.d.
V
5
mA
collector emitter cut off current
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
0,9
-
μC
-
-
V
GES
revision: 2
V
GE(th)
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
7,1
-
P
tot
480
Kollektor Emitter Reststrom
prepared by: Mark Münzer
gate threshold voltage
Eingangskapazitt
input capacitance
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
V
ISOL
Technische Information / technical information
FS100R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: Martin Hierholzer
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
vorlufige Daten
preliminary data
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2001-08-16
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter satration voltage
V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C, I
C
= I
C,nom
1200
V
kV
2,5
A
nF
-
T
c
= 25°C
DC collector current
V
CES
collector emitter voltage
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
T
c
= 80°C
Kollektor Dauergleichstrom
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C, I
C
= I
C,nom
Gate Schwellenspannung
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C, I
C
= 4mA
I2t value
W
V
200
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
100
T
c
= 25°C
repetitive peak collector current
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
I
CRM
A
+/- 20
1,95
kA2s
t
p
= 1ms
I
FRM
200
A
Grenzlastintegral
5
5,8
6,5
V
0,3
-
nF
reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazitt
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
-
400
nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
I2t
1 (8)
Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls
2001-08-16
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