參數(shù)資料
型號(hào)： FS20KMA-4A
廠商： Powerex Power Semiconductors
英文描述： Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
中文描述： N溝道功率MOSFET高速開(kāi)關(guān)使用
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： FS20KMA-4A
PRELIMINARY
Some parametric limits are subject to change.
Sep.1998
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS20KMA-4A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
0
4
8
12
16
20
0
40
80
120
160
200
V
DS
= 50V
100V
150V
T
C
h = 25°C
I
D
= 20A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–50
0
50
100
150
V
GS
= 0V
I
D
= 1mA
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
–50
0
50
100
150
V
DS
= 10V
I
D
= 1mA
0
10
20
30
40
50
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
T
C
= 125°C
75°C
25°C
V
GS
= 0V
Pulse Test
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
Pulse Test
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS. GATE CHARGE
(TYPICAL)
GATE CHARGE Q
g
(nC)
G
G
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE V
SD
(V)
S
S
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
D
D
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
G
V
G
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
D
D
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
D
(
D
(
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
PULSE WIDTH t
w
(s)
T
t
(
10
–2
10
–1
2
3
5
7
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
–4
2 3 57
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
2 3 57
10
2
10
–3
10
–2
10
–1
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
P
DM
tw
D
=
T
tw
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS20KMA-5A Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS20SM-12 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS20SM-12 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS20SM-5 HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS20SM-5 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
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參數(shù)描述
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FS20KMA-5A 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS20R06KFS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C)
FS20R06KLS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C)
FS20R06VE3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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