參數(shù)資料
型號： FS75R17KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 316K
代理商： FS75R17KE3
6
Technische Information / technical information
FS75R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Martin Wlz
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2003-8-20
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 6,8 , V = 900 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
20
40
60
80
100
120
140
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 75 A, V = 900 V, TY = 125°C
R []
E
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,048
0,01
2
0,144
0,04
3
0,192
0,06
4
0,096
0,3
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