參數(shù)資料
型號(hào)： FSAM10SH60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA32
文件頁數(shù)： 12/17頁
文件大小： 349K
代理商： FSAM10SH60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
-
October 2001
Time Charts of SPMs Protective Function
P1 : Normal operation - IGBT ON and conducting current
P2 : Under voltage detection
P3 : IGBT gate interrupt
P4 : Fault signal generation
P5 : Under voltage reset
P6 : Normal operation - IGBT ON and conducting current
Fig. 8. Under-Voltage Protection (Low-side)
P1 : Normal operation - IGBT ON and conducting current
P2 : Under voltage detection
P3 : IGBT gate interrupt
P4 : No fault signal
P5 : Under voltage reset
P6 : Normal operation - IGBT ON and conducting current
Fig. 9. Under-Voltage Protection (High-side)
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
Input Signal
Output Current
Fault Output Signal
Control Supply Voltage
P1
P2
P3
P4
P6
P5
UV
detect
UV
reset
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
Input Signal
Output Current
Fault Output Signal
Control Supply Voltage
V
BS
P1
P2
P3
P4
P6
P5
UV
detect
UV
reset
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSAM10SM60A SPM (Smart Power Module)
FSAM15SH60A SPM (Smart Power Module)
FSAM15SM60A SPM (Smart Power Module) General Description
FSAM15SH60 SPMTM (Smart Power Module)
FSAM15SM60 SPM (Smart Power Module) General Description
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FSAM10SH60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM10SM60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM15SH60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM15SH60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM15SL60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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