參數(shù)資料
型號： FSB50825US
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 電源模塊
英文描述： DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： FSB50825US
6
www.fairchildsemi.com
FSB50825US Rev. A
FSB50825US
Smart
Powe
rMod
u
le
(SPM)
Figure 8. Example of Application Circuit
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
(1) COM
(2) V
B(U)
(3) V
CC(U)
(4) IN
(UH)
(5) IN
(UL)
(6) V
S(U)
(7) V
B(V)
(8) V
CC(V)
(9) IN
(VH)
(10) IN
(VL)
(11) V
S(V)
(12) V
B(W)
(13) V
CC(W)
(14) IN
(WH)
(15) IN
(WL)
(16) V
S(W)
(17) P
(18) U
(19) N
U
(20) N
V
(21) V
(22) N
W
(23) W
Mic
o
m
C
1
R
1
R
2
15-V
Supply
M
C
3
V
DC
R
1
R
1
C
1
C
1
C
2
C
2
C
2
R
3
R
4
C
4
R
5
C
5
For 3-phase current sensing and protection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSDS020-557GG SIP20, IC SOCKET
FSG-15N1A SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, SSS4
FSH2050A PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, QCC16
FSH250300-100 PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 150 MHz, QCC36
FSH250300-1M PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 3000 MHz, QCC36
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FSB52006S 功能描述:IGBT 模塊 60V 1A 15kHz RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB560 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
FSB560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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