參數(shù)資料
型號(hào)： FSB50825US
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 電源模塊
英文描述： DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 297K
代理商： FSB50825US
7
www.fairchildsemi.com
FSB50825US Rev. A
FSB50825US
Smart
Powe
rMod
u
le
(SPM)
Detailed Package Outline Drawings
#1
#16
17
.90
12
.3
0
2.
80
15*1.778=26.67
1.30
13.34±0.30
15.60
7.80
4.43
2.48
LAND PATTERN RECOMMENDATIONS
0.60±0.10
Max 1.00
(1.165)
15*1.778=26.67±0.30
(-)
(+)
12
.00
±0
.2
0
29.00±0.20
0.60±0.10
Max 1.00
(1.
8
0
)
(1.
3
0
)
(2.275)
4x3.90=15.60±0.30
1.95
#1
#16
#17
#23
2x3.90=7.80±0.30
0.
5
0
8
0.1
5
+0
.1
0
-0
.1
5
5°±
3°
1.50±0.20
(2.50)
(1
.30)
GAGE PLANE
Ma
x
3.5
0
12.23±0.30
13.13±0.30
13.34±0.30
SEATING PLANE
(1.
8
0
)
3.
10
±0
.2
0
(1
.00)
17.00±0.20
0
.5
0
+
0
.1
0
-0
.0
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSDS020-557GG SIP20, IC SOCKET
FSG-15N1A SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, SSS4
FSH2050A PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, QCC16
FSH250300-100 PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 150 MHz, QCC36
FSH250300-1M PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 3000 MHz, QCC36
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FSB52006S 功能描述:IGBT 模塊 60V 1A 15kHz RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB560 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
FSB560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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