參數(shù)資料
型號(hào): FSB660
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達(dá)2A的PNP低飽和電壓晶體管)
中文描述: 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 223K
代理商: FSB660
Typical Characteristics
Current Gain vs. Collector Current
1000
125°C
00
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
0.01
0.1
1
10
100
200
300
400
500
600
700
800
900
H
F
25°C
- 40°C
V = 2.0V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Input/Output Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
C
V = 2.0V
f = 1.0MHz
C
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs.
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
PA
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