參數(shù)資料
型號(hào)： FSBM10SH60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA32
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大?。?/td> 2337K
代理商： FSBM10SH60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. D, August 2003
Absolute Maximum Ratings
Thermal Resistance
Note:
2. For the measurement point of case temperature(T
), please refer to Fig. 2.
3. The thickness of thermal grease should not be more than 100um.
Electrical Characteristics
(T
J
= 25°C, Unless Otherwise Specified)
Inverter Part
Note:
4. t
and t
include the propagation delay time of the internal drive IC. t
C(ON)
and t
C(OFF)
are the switching time of IGBT itself under the given gate driving condition
internally. For the detailed information, please see Fig. 4.
Item
Symbol
R
th(j-c)Q
Condition
Min. Typ.
-
Max.
2.93
Unit
°C/W
Junction to Case Thermal
Resistance
Each IGBT under Inverter Operating Condition
Each FWDi under Inverter Operating Condition
-
R
th(j-c)F
-
-
3.71
°C/W
Contact Thermal
Resistance
R
th(c-h)
Ceramic Substrate (per 1 Module)
Thermal Grease Applied (Note 3)
-
-
0.06
°C/W
Item
Symbol
V
CE(SAT)
Condition
Min.
-
Typ.
-
Max.
2.8
Unit
V
Collector - Emitter
Saturation Voltage
FWDi Forward Voltage
Switching Times
V
CC
= V
BS
= 15V
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
V
PN
= 300V, V
CC
= V
BS
= 15V
I
C
= 10A, T
J
= 25°C
V
IN
= 5V
0V, Inductive Load
(High, Low-side)
I
C
= 10A, T
J
= 25°C
V
FM
t
ON
t
C(ON)
t
OFF
t
C(OFF)
t
rr
I
CES
I
C
= 10A, T
J
= 25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
2.3
-
-
-
-
-
250
V
us
us
us
us
us
uA
(Note 4)
V
CE
= V
CES
, T
J
= 25°C
0.37
0.12
0.53
0.2
0.1
-
Collector - Emitter
Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSBM10SM60A SPMTM (Smart Power Module)
FSBM15SH60A SPM (Smart Power Module)
FSBM15SH60 SPMTM (Smart Power Module)
FSBM15SL60 SPMTM (Smart Power Module)
FSBM15SM60A SPM (Smart Power Module)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FSBM10SH60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSBM10SM60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSBM15SH60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSBM15SH60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSBM15SL60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*