參數(shù)資料
型號： FSGL230R
廠商： Intersil Corporation
英文描述： Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs(抗輻射N溝道MOS場效應管)
中文描述： 抗輻射，抗SEGR N溝道功率MOSFET（抗輻射?溝道馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 79K
代理商： FSGL230R
4
FIGURE 3. TYPICAL DRAIN INDUCTANCE REQUIRED TO
LIMIT GAMMA DOT CURRENT TO I
AS
FIGURE 4. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
TEMPERATURE
FIGURE 5. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 6. BASIC GATE CHARGE WAVEFORM
FIGURE 7. TYPICAL NORMALIZED r
DS(ON)
vs JUNCTION
TEMPERATURE
FIGURE 8. TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
300
100
10
L
DRAIN SUPPLY (V)
1000
ILM = 10A
300A
1E-4
1E-5
1E-6
30
100A
30A
1E-7
1E-3
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
150
100
50
0
-50
0
10
8
6
4
2
10
1
1
0.1
10
100
1000
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
OPERATION IN THIS
100
μ
s
1ms
10ms
T
C
= 25
o
C
CHARGE
Q
GD
Q
G
V
G
Q
GS
12V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.080
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
D
PULSE DURATION = 250ms, V
GS
= 12V, I
D
= 5A
10
8
6
4
2
0
40
0
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 6V
V
GS
= 6V
V
GS
= 8V
V
GS
= 10V
V
GS
= 12V
V
GS
= 14V
30
20
10
50
FSGL230R
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