參數(shù)資料
型號(hào)： FY5ACJ-03A
廠商： Powerex Power Semiconductors
英文描述： JT 4C 4#16 SKT WALL RECP
中文描述： N溝道功率MOSFET高速開(kāi)關(guān)使用
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： FY5ACJ-03A
Sep.1998
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FY5ACJ-03A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 15V
20V
25V
T
C
h = 25°C
I
D
= 5A
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
–50
0
50
100
150
V
DS
= 10V
I
D
= 1mA
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–50
0
50
100
150
V
GS
= 0V
I
D
= 1mA
0
10
20
30
40
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 125°C
75°C
25°C
V
GS
= 0V
Pulse Test
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
Pulse Test
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS. GATE CHARGE
(TYPICAL)
GATE CHARGE Q
g
(nC)
G
G
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE V
SD
(V)
S
S
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
D
D
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
G
V
G
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
PULSE WIDTH t
w
(s)
T
t
(
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
D
D
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
D
(
D
(
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
–4
23 57
10
–3
23 57
10
–2
23 57
10
–1
23 57
10
0
23 57
10
1
23 57
10
2
23 57
10
3
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
P
DM
tw
D
=
T
tw
T
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PDF描述
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FZ1200R33KF2C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
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FZT489 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT493 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
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