型號: | FZ800R12KS4 |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | IGBT-Module |
中文描述: | IGBT的模塊 |
文件頁數(shù): | 5/9頁 |
文件大?。?/td> | 101K |
代理商: | FZ800R12KS4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FZ800R12KS4_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FZ800R12KS4V2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
FZ800R16KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 1600V 800A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FZ800R17KF4C | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FZ800R17KF6C_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |