參數(shù)資料
型號(hào)： FZ800R12KS4
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： IGBT-Module
中文描述： IGBT的模塊
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： FZ800R12KS4
Technische Information / Technical Information
FZ 800 R12 KS4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Vorlufige Daten
Preliminary data
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
9 (9)
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00
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PDF描述
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參數(shù)描述
FZ800R12KS4_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ800R12KS4V2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FZ800R16KF4 功能描述:IGBT 模塊 1600V 800A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ800R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ800R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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