參數(shù)資料
型號(hào)： FZT558
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 0.2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 110K
代理商： FZT558
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
+100°C
+25°C
-55°C
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.001
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.001
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
-
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
-
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(on)
v I
C
h
-
-
-
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
V
CE
=10V
V
CE
=10V
300
200
100
h
-
0.001
0.001
0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
FZT558
3 - 193
3 - 192
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT560 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT589 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
FZT591A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT591 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT593 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZT558TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT558TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT560 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT560A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
FZT560TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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