參數(shù)資料
型號： FZT593
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 40K
代理商： FZT593
SOT223 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995
%
COMPLEMENTARY TO FZT493
PARTMARKING DETAIL - FZT593
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-120
V
Collector-Emitter Voltage
-100
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
-120
V
I
C
=-100
μ
A
V
(BR)CEO
-100
V
I
C
=-10mA*
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-100V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector-Emitter Cut-Off Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-100V
Saturation Voltages
V
CE(sat)
-0.2
-0.3
V
V
I
C
=-250mA,I
B
=-25mA*
I
C
=-500mA I
B
=-50mA*
V
BE(sat)
-1.1
V
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA*
Base-Emitter Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-1mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
100
50
300
I
C
=-1mA, V
CE
=-5V
I
C
=-250mA,V
CE
=-5V*
I
C
=-500mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
Transition Frequency
f
T
50
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
5
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical Characteristics graphs see FMMT593 datasheet
FZT593
3 - 196
C
C
E
B
相關PDF資料
PDF描述
FZT600 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT603 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT649 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
FZT651 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS
FZT653 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FZT593TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT593TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT600 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 140V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:20000 ;RoHS Compliant: Yes
FZT600 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON SOT-223
FZT600A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*