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參數(shù)資料
| 型號： | FZT560 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 0.15 A, 500 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | FZT560 |
1m
1m
1m
1m
1m
I
C
- Collector Current (A)
V
CE(sat)
v I
C
0
IC/IB=10
IC/IB=20
IC/IB=50
+25°C
-55°C
+100°C
0
I
C
- Collector Current (A)
h
FE
v I
C
0
I
C
- Collector Current (A)
V
BE(on)
v I
C
+100°C
+150°C
+25°C
0
I
C
- Collector Current (A)
V
CE(sat)
v I
C
+100°C
+150°C
+25°C
0
I
C
- Collector Current (A)
V
BE(sat)
v I
C
+25°C
-55°C
IC/IB=10
VCE=5V
-55°C
IC/IB=10
+25°C
+100°C
+150°C
-55°C
0.5
1.0
0.25
0.75
80
160
240
10m
100m
1
0.4
0.8
1.2
1.6
10m
100m
0.2
0.4
0.6
0.8
10m
100m
10m
100m
10m
100m
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
1s
100ms
10ms
1ms
100us
DC
0.001
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
100
1000
FZT560
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT589 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FZT591A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT591 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT593 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FZT600 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT560A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| FZT560TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT560TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT589 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FZT589TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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