參數(shù)資料
型號(hào)： FZT649
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Low Saturation Transistor(集電極電流達(dá)3A的NPN低飽和電壓晶體管)
中文描述： 3 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： FZT649
-
150
I
C
= 100 mA,V
CE
= 5 V, f=100MHz
Transition Frequency
f
T
pF
50
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1MHz
Output Capacitance
C
obo
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V
1
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1.25
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
300
600
I
C
= 1 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 3 A, I
B
= 300 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
300
70
100
75
15
I
C
= 50 mA, V
CE
= 2 V
I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
I
C
= 2 A, V
CE
= 2 V
I
C
= 6 A, V
CE
= 2 V
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
*
nA
100
V
EB
= 4V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
uA
100
10
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V, T
A
=100°C
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
I
E
= 100
μ
A
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
V
35
I
C
= 100
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
V
25
I
C
= 10 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
NPN Low Saturation Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
*Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Page 2 of 2
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
fzt649.lwpPrNC 7/10/98 revB
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT689 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT689B NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690B RES 100K .250W 1%
FZT692 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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FZT649TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT649TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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