型號(hào): | FZT649 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN Low Saturation Transistor(集電極電流達(dá)3A的NPN低飽和電壓晶體管) |
中文描述: | 3 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 190K |
代理商: | FZT649 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FZT689 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
FZT689B | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
FZT690 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
FZT690B | RES 100K .250W 1% |
FZT692 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FZT649 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
FZT649_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT649TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT649TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT651 | 制造商:Zetex 功能描述:Bulk 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:175MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:4 ;RoHS Compliant: Yes |