參數(shù)資料
型號(hào)： FZT655
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： FZT655
FZT655
3 - 212
3 - 211
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
-
Single Pulse Test at T
amb
=25°C
0.01
0.1
10
1
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(sat)
v I
C
-
I
C
/I
B
=10
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
h
-
0.01
10
0.1
1
V
CE
=5V
0
0.01
10
0.1
1
0.6
0.8
1.0
1.2
I
C
/I
B
=10
0.4
40
60
80
100
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(on)
v I
C
-
Switching Speeds
I
C
-
Collector Current (Amps)
S
0.1
1
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
0.01
ts
tf
td
tr
0.6
0.7
0
ts
μs
2.0
1.0
3.0
td
tr
tf
μs
0.3
0.2
0.1
0.4
0.5
0.18
0.10
20
0
0.01
10
0.1
1
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
V
CE
=5V
1
1000
100ms
10ms
1ms
300
μ
s
10
DC
0.01
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
Safe Operating Area
10
100
0.1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT657 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT658 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT688B NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT694 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT694B NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZT655TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT655TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT657 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT657TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT657TA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:FZT657 Series NPN 0.5 A 300 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*