參數(shù)資料
型號： FZT755
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 88K
代理商： FZT755
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 FEBRUARY 1996
FEATURES
*
25 Volt V
CEO
*
Low saturation voltage
*
Excellent h
FE
specified up to 6A (pulsed).
%
COMPLEMENTARY TYPE
PARTMARKING DETAIL
FZT655
FZT755
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-150
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-150
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-150
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.1
μ
A
V
CB
=-125V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-3V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
-0.5
V
V
I
C
=-500mA, I
=-50mA*
I
C
=-1A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.1
V
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
20
300
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-500mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
Transition Frequency
f
T
30
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
20
pF
V
CB
=-10V f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FZT755
C
C
E
B
3 - 238
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT757 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT758 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT788 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT788B PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT789A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZT755_05 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT755TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT755TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT757 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT757TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*