參數(shù)資料
型號(hào): FZT755
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述: 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 88K
代理商: FZT755
FZT755
3 - 239
3 - 238
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
-
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(on)
v I
C
h
-
-
-
Single Pulse Test at T
amb
=25°C
0.001
0.01
10
0.1
1
20
40
60
80
100
0.2
0.001
0.1
1
0.4
0.6
1.0
0
0.001
0.01
1
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=10
Switching Speeds
I
C
-
Collector Current (Amps)
S
0.1
1
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
0.01
ts
tf
td
tr
td
tr
tf
μs
2.0
1.0
ts
μs
0.3
0.2
0.1
0.4
0.5
0
0.01
0.0001
0.001
1
0.01
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
V
CE
=5V
0.4
0.8
0.1
100
100ms
10ms
10
DC
0.01
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
Safe Operating Area
1ms
300
μ
s
1
10
0.1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT757 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT758 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT788 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT788B PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT789A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZT755_05 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT755TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT755TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT757 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT757TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2