參數(shù)資料
型號(hào)： GA150TD12U
文件頁數(shù)： 9/10頁
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代理商： GA150TD12U
GA150TD120U
www.irf.com
9
Vg
GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
Figure 22. Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
600V
4 X I
C
@25°C
0 - 600V
Figure 21. Macro Waveforms for
Figure 17's
Test Circuit
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 18. Clamped Inductive Load Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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GA152-10-12 功能描述:高頻/射頻繼電器 Ultramin High Repeat SMT DC-5GHz RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz
GA152-10-12/G 功能描述:高頻/射頻繼電器 Ultramin High Repeat SMT DC-5GHz RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz
GA152-10-12/SG 制造商:Teledyne Relays 功能描述:ATTENUATOR - Bulk
GA152-10-15 功能描述:高頻/射頻繼電器 Ultramin High Repeat SMT DC-5GHz RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz
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