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參數(shù)資料
| 型號： | GA200 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | SCRs Nanosecond Switching, Planar |
| 中文描述： | 0.314 A, 60 V, SCR, TO-18 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | GA200 |
GA200HS60S
Bulletin I27121 rev. B 07/02
4
www.irf.com
Fig. 5 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-
Emitter Voltage
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
0
300
600
900 1200 1500 1800
Vcc = 400V
Ic = 200A
Fig. 6 - Typical Switching Losses vs Gate
Resistance
S
R
G
, Gate Reistance (
)
Fig. 7 - Typical Switching Losses vs Collector-to-Emitter Current
S
I
C
, Collector-to-Emitter Current (A)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
40
80
120
160
200
Eon
Eoff
Tj = 125
C
Vce = 480V
Vge = 15V
Rge = 10
Free-wheeling diode:
30ETH06
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
Eoff
Eon
Tj = 25
C, Vce = 480V
Vge = 15V, Ic = 200A
free-wheeling diode: 30ETH06
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GA200-010WD | 功能描述:SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 壓力 系列:Ares 標準包裝:100 系列:* |
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