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參數(shù)資料
| 型號： | GF2303A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 2.5AI（四）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | GF2303A |
GF2301
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
0
1
2
3
4
5
0
1
2
4
3
Fig. 7
–
Gate Charge
5
6
V
DS
=
--
6V
I
D
=
--
2.8A
Q
g
-- Gate Charge (nC)
-
G
1
10
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
-
S
--V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
T
J
= 150
°
C
25
°
C
--
55
°
C
Fig. 9
–
Source-Drain Diode
Forward Voltage
V
GS
=
0
V
0
100
200
600
300
400
500
700
0
5
10
15
20
Fig. 8
–
Capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
C
--V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
f = 1MHz
V
GS
= 0V
Fig. 12
–
Maximum Safe Operating Area
0.0001 0.001
0.01
0.01
0.001
0.1
0.1
1
1
10
100
-
D
-- V
DS
-- Drain-Source Voltage (V)
R
Θ
J
I
Pulse Duration (sec.)
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
0
0.01
0.1
0.1
1
1
10
100
10
100
5
10
15
20
1
10
100
Fig. 11
–
Power vs. Pulse Duration
P
Pulse Duration (sec.)
Single Pulse
R
θ
JA
= 100
°
C/W
T
A
= 25
°
C
V
GS
= --4.5V
Single Pulse
R
θ
JA
= 100
°
C/W
T
A
= 25
°
C
R
DS(ON)
Limit
100
μ
s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
D = 0.5
0.2
0.01
0.1
0.05
t
1
t
2
P
DM
1. Duty Cycle, D = t
1
/t
2
2. R
θ
JA
(t) = R
θ
JA(norm)
*R
θ
JA
3. R
θ
JA
= 100
°
C/W
4. T
J
- T
A
= P
DM
* R
θ
JA
(t)
0.02
Fig. 10
–
Thermal Impedance
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GF2304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-23 |
| GF2402 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.14A I(D) | SOT-23 |
| GF2524 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO |
| GF2918 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.8A I(D) | SO |
| GF2M303 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GF2304 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 2.5uA, TO-236AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
| GF2304\5B | 功能描述:MOSFET USE 781-SI2304DS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GF235 | 制造商:TAITRON 制造商全稱:TAITRON Components Incorporated 功能描述:0.2A High Voltage Fast Recovery Rectifiers |
| GF240 | 制造商:TAITRON 制造商全稱:TAITRON Components Incorporated 功能描述:0.2A High Voltage Fast Recovery Rectifiers |
| GF2402 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.14A I(D) | SOT-23 |
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