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參數(shù)資料
| 型號： | GF2402 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.14A I(D) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 1.14AI（四）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | GF2402 |
GF2402
Vishay Semiconductor
www.vishay.com
4
Document Number #####
26-Nov-01
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
0
2
4
6
8
10
0
1
2
Fig. 7
–
Gate Charge
3
4
V
DS
=
20
I
D
= 1.0A
Q
g
-- Gate Charge (nC)
V
G
0
50
100
150
200
0
5
10
15
20
Fig. 8
–
Capacitance
C
rss
C
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
f = 1MHz
V
GS
= 0V
1
0.1
0.01
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
S
P
R
θ
J
I
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
Pulse Duration (sec.)
Pulse Duration (sec.)
T
J
= 125
°
C
--
55
°
C
Fig. 9
–
Source-Drain Diode
Forward Voltage
V
GS
=
0
V
Fig. 10
–
Transient Thermal
Impedance
Fig. 11
–
Power vs. Pulse Duration
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
10
20
30
40
1
10
100
Single Pulse
R
θ
JA
= 300
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Fig. 12
–
Maximum Safe Operating Area
I
D
V
DS
-- Drain-Source Voltage (V)
0.01
0.1
0.1
1
1
10
0.01
0.001
0.1
1
10
100
V
GS
= 4.5V
Single Pulse
R
θ
JA
= 300
°
C/W
T
A
= 25
°
C
R
DS(ON)
Limit
100
μ
s
1ms
10ms
1s
DC
25
°
C
1. Duty Cycle, D = t
1
/t
2
2. R
θ
JA
(t) = R
θ
JA(norm)
*R
θ
JA
3. R
θ
JA
= 300
°
C/W
4. T
J
- T
A
= P
DM
* R
θ
JA
(t)
0.0001
0.001
0.1
1
100
10
0.01
C
iss
C
oss
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
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PDF描述 |
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