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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GMBT8050 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | GMBT8050 |
1/2
ISSUED DATE :2002/11/21
REVISED DATE :2005/04/08B
G
G M
M B
B T
T 88005500
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT8050 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
25
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
20
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
700
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Electrical Characteristics(Ta = 25 : ,unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
25
-
V
IC=10uA , IE=0
BVCEO
20
-
V
IC=1mA ,IB=0
BVEBO
5
-
V
IE=10uA ,IC=0
ICBO
-
1
uA
VCB=30V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=5V ,IC=0
VCE(sat)
-
500
mV
IC=500mA, IB=50mA
VBE(on)
-
1
V
VCE=1V, IC=150mA
hFE
120
-
500
VCE=1V, IC=150mA
fT
150
-
MHz
VCE=10V, IC=20mA, f=100MHz
Cob
-
10
pF
VCB=10V, f=1MHz
Classification Of hFE
Rank
D9C
D9D
D9E
hFE
120 ~ 200
150 ~ 300
250 ~ 500
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMBT8550L | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8550 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9012 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBTA06 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA42 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GMBT8050L | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8550 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT8550L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9012 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT9013 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
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