參數(shù)資料
型號： GP250MHB06S
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half Bridge IGBT Module
中文描述： 350 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： GP250MHB06S
GP250MHB06S
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Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
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INDUCTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless stated otherwise
Symbol
t
d(off)
Turn-off delay time
Fall time
E
OFF
Turn-off energy loss
Conditions
ns
ns
mJ
-
-
-
20
310
-
-
-
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
810
t
f
t
d(on)
Turn-on delay time
ns
-
-
330
Rise time
E
ON
Turn-on energy loss
ns
mJ
-
-
12
130
-
-
t
r
I
C
= 250A
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 50% V
CES
R
G(ON)
= R
G(OFF)
= 5
L ~ 100nH
T
j
= 125C unless stated otherwise.
t
rr
Diode reverse recovery time
ns
-
165
-
Q
rr
Diode reverse recovery charge
μ
C
-
15
-
I
F
= 250A
V
R
= 50%V
CES
, dI
F
/dt = 1500A/
μ
s
t
d(off)
Turn-off delay time
Fall time
E
OFF
Turn-off energy loss
ns
ns
mJ
-
-
-
30
450
-
-
-
1050
t
f
t
d(on)
Turn-on delay time
ns
-
-
380
Rise time
E
ON
Turn-on energy loss
ns
mJ
-
-
18
160
-
-
t
r
I
C
= 250A
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 50% V
CES
R
G(ON)
= R
G(OFF)
= 5
L ~ 200nH
t
rr
Diode reverse recovery time
ns
-
230
-
Q
rr
Diode reverse recovery charge
μ
C
-
23
-
I
F
= 250A
V
R
= 50%V
CES
, dI
F
/dt = 1500A/
μ
s
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