參數(shù)資料
型號(hào)： GP250MHB06S
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half Bridge IGBT Module
中文描述： 350 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 127K
代理商： GP250MHB06S
GP250MHB06S
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
7/10
Fig.11 Typical switching characteristics
Fig.13 Reverse bias safe operating area
Fig.14 Forward bias safe operating area (DC and single pulse)
Fig.12 Diode typical forward characteristics
0
200
100
Collector current, I
C
- (A)
150
0
800
1400
S
T
j
= 125
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300V
R
g
= 5
t
f
t
d(off)
t
r
t
d(on)
1200
1000
200
600
400
250
300
50
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
Foward voltage, V
F
- (V)
F
F
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
0
100
200
300
400
500
600
0
200
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
400
600
800
C
C
T
j
= 125
C
V
ge
=
±
15V
R
g
= 5
1
10
100
1000
C
C
10000
1
10
100
1000
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
50
μ
s
100
μ
s
I
C
max. (single pulse)
I
C
max DC(coninuous
t
= 1ms
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