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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GP2L26B |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | GP2L26B |
GP2L09/GP2L24/GP2L26
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta= 25C)
(Ta= 25C)
Parameter
Forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Symbol
I
F
V
R
P
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
Rating
50
6
75
35
6
50
75
100
- 25 to + 85
- 40 to + 100
260
Unit
mA
V
mW
Input
Output
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
V
V
mA
mW
mW
C
C
C
Total power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
1
Soldering temperature
P
tot
T
opr
T
stg
T
sol
3 The condition and arrangement of the reflective object are shown in the right drawing.
4 Without reflective object
The ranking of collector current shall be
classified into the following 6 ranks.
(
GP2L09
,
GP2L24
,
GP2L26
)
I
Electro-optical Characteristics
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Collector dark current
3
Collector current
Symbol
I
F
I
R
I
CEO
I
C
t
r
t
f
I
LEAK
Conditions
MIN.
-
-
-
0.5
-
-
-
TYP.
1.2
-
-
3.0
80
70
-
MAX.
1.4
10
1x 10
- 6
15.0
400
400
5.0
Unit
V
μ
A
A
mA
μ
s
μ
s
μ
A
Input
I
F
= 20mA
V
R
= 6V
V
CE
= 10V, I
F
= 0
Output
Transfer-
charac-
teristics
V
CE
= 2V, I
F
= 4mA
V
CE
= 2V, I
C
= 10mA
R
L
= 100
, d= 1mm
Response time
Rise time
Fall time
4
Leak current
I
F
= 4mA, V
CE
= 5V
GP2L09
,
GP2L24
Soldering area
The hatched area more than 1mm
2
away from the lower edge of
package as shown in the drawing
below.
2.0mm
2.0mm
1
2
1mm-thick glass
2
GP2L09
:
4mm
GP2L26
Soldering area
The hatched area more
than 2.0mm away from
the both edge of package
as shown in the drawing
below.
5
GP2L24
and
GP2L26
don't
have A rank.
Rank
5
A
B
C
A or B
B or C
A, B or C
Collector current I
C
(mA)
0.5 to 1.9
1.45 to 5.4
4.0 to 15.0
0.5 to 5.4
1.45 to 15.0
0.5 to 15.0
1 Within 5 seconds (Soldering areas for each model are shown below. )
Test Condition for Collector Current
Al evaporation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP2L26C | |
| GP2W1002YP | INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE |
| GP2W1301YP | INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE |
| GP2W2003YK | INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE |
| GP2W2004YK | INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP2L26C | 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:Photointerrupter Transmissive Photodarlington 4-Pin |
| GP2L26CJ000F | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| GP2L26J0000F | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| GP2M002A060FG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:360pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| GP2M004A060PG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:545pF @ 25V 功率 - 最大值:86.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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