參數(shù)資料
型號： GP2L26B
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： GP2L26B
GP2L09/GP2L24/GP2L26
0
25
- 25
0
25
50
75
150
50
100
75
100
125
- 25
0
10
- 11
25
100
50
75
5
10
- 10
5
10
- 9
5
10
- 8
5
10
- 7
5
10
- 6
5
10
- 5
5
10
10
20
50
100
200
500
1000
1
10
100
1000
1000
Output
Output
Input
0
1
2
4
5
40
60
20
0
3
R
Ambient temperature T
a
(C)
Fig. 8 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
V
CE
= 10V
C
C
Ambient temperature T
a
(C)
I
F
= 4mA
V
CE
= 5V
V
CE
= 2V
I
C
= 10mA
T
a
= 25C
t
d
t
s
V
CE
= 2V
I
C
= 10mA
T
a
= 25C
t
r
t
f
t
d
t
s
R
μ
R
d (mm)
V
CC
Input R
D
R
L
t
d
t
r
t
s
t
f
90
%
10
%
R
μ
Distance between Sensor and
Al Evaporation Glass
100
I
F
= 4mA
V
CE
= 2V
T
a
= 25C
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
Fig. 7 Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
t
r
t
f
Fig. 9-a Response Time vs.
Load Resistance
Test Circuit for Response Time
Fig.10 Relative Collector Current vs.
80
Distance between sensor and Al evaporation glass
Fig. 9-b Response Time vs.
Load Resistance
(GP2L09)
(GP2L24/GP2L26)
Load resistance R
L
(
)
Load resistance R
(
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP2L26C
GP2W1002YP INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE
GP2W1301YP INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE
GP2W2003YK INFRARED DATA COMMUNICATION DEVICE
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GP2M004A060PG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 25V 功率 - 最大值:86.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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