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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS71116 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1Mb（64K x 16Bit）Asynchronous SRAM(1M位（64K x 16位）異步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1兆（64K的× 16）異步SRAM（100萬(wàn)位（64K的× 16位）異步靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/15頁(yè) |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | GS71116 |
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Rev: 1.06 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/15
1999, Giga Semconductor, Inc.
GS71116TP/J/U
Write Cycle 1: WE control
Write Cycle 2: CE control
tWC
Address
CE
UB, LB
WE
Data In
OE
Data Out
tAW
tCW
tBW
tAS
tWP
tWR
tDW
Data valid
tDH
tWLZ
tWHZ
High impedance
tWC
Address
CE
UB, LB
WE
Data In
OE
Data Out
tAW
tWP
tAS
tCW
tWR1
tDW
Data valid
tDH
High impedance
tBW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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