參數(shù)資料
型號(hào): GS71208TP
廠商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM
中文描述: 128K的× 8最快1Mb異步SRAM
文件頁數(shù): 4/11頁
文件大?。?/td> 394K
代理商: GS71208TP
Rev: 1.03 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS71208TP
Power Supply Currents
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage
Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
1 uA
1 uA
Output Leakage
Current
I
LO
Output High Z
V
OUT
= 0 to V
DD
1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
I
OH
=
4mA
2.4
Output Low Voltage
V
OL
I
LO
= +4mA
0.4 V
Parameter
Symbol
Test Conditions
0 to 70°C
40 to 85°C
8 ns
8 ns
Operating
Supply
Current
I
DD
(max)
CE
V
IL
All other inputs
V
IH
or
V
IL
Min. cycle time
I
OUT
= 0 mA
150 mA
160 mA
Standby
Current
I
SB1
(max)
CE
V
IH
All other inputs
V
IH
or
V
IL
Min. cycle time
55 mA
65 mA
Standby
Current
I
SB2
(max)
CE
V
DD
0.2 V
All other inputs
V
DD
0.2 V or
0.2 V
15 mA
25 mA
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PDF描述
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