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參數(shù)資料
| 型號： | GS8160ZV18AGT-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 8/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | GS8160ZV18AGT-150I |
Rev: 1.00a 6/2003
16/23
2003, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS8160ZV18/36AT-350/333/300/250/200/150
Preliminary
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FTInput Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH
IOH = –4 mA, VDDQ = 1.6 V
VDDQ – 0.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 4 mA, VDD = 1.6 V
—
0.4 V
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