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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8170S72 |
| 廠(chǎng)商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（256K x 72Bit）Synchronous SRAM(16M位（256K x 72位）同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的（256 × 72Bit）同步SRAM（1,600位（256 × 72位）同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | GS8170S72 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.
18/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8170S18/36/72B-333/300/275/250
.
FLXDrive Output Driver Impedance Control
The ZQ pin allows selection between
Σ
RAM nominal drive strength (ZQ low) for multi-drop bus applications and low drive
strength (ZQ floating or high) point-to-point applications. See
”O(jiān)utput Driver Characteristics” on page 31
for details.
Pipelined Read Bank Switch with E1 Deselect
Note: E1\ does not deselect the Echo Clock Outputs. Echo Clock outputs are synchronously deselected by E2 or E3 being sampled false.
QD
QC
CQ
Bank 1
CQ1 + CQ2
CQ
Bank 2
DQ
Bank 2
/E
1
/E2 Bank 1
E2 Bank 2
DQ
Bank 1
QA
Address
A
XX
F
D
E
C
Read
Read
Read
CK
Read
No Op
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