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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321EV18GE-133T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 11/33頁 |
| 文件大小： | 1013K |
| 代理商： | GS8321EV18GE-133T |
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GS8321EV18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
19/33
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
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tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
AB
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
ADSC initiated read
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321ZV36E-150T | 1M X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| GS832236AB-300T | 1M X 36 CACHE SRAM, PBGA119 |
| GS832472GC-150I | 512K X 72 CACHE SRAM, 10 ns, PBGA209 |
| GS832472GC-250T | 512K X 72 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA209 |
| GS8342D08E-333T | 4M X 8 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321EV18GE-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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