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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（128K的× 36位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 9/31頁 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | GS840E36 |
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Rev: 2.05 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
BGA Pin Description
Pin Location
N4, P4
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSB’s and Address Counter Preset Inputs.
A2, A3, A5, A6, B3, B5, C2, C3, C5,
C6, R2, R6, T3, T5
T4
T2, T6
T2, T6
K7, K6, L7, L6, M6, N7, N6, P7
H7, H6, G7, G6, F6, E7, E6, D7
H1, H2, G1, G2, F2, E1, E2, D1
K1, K2, L1, L2, M2, N1, N2, P1
An
I
Address Inputs
An
NC
An
Address Input (x32/36 Versions)
No Connect (x32/36 Versions)
Address Input (x18 Version)
-
I
DQ
A1
-DQ
A8
DQ
B1
-DQ
B8
DQ
C1
-DQ
C8
DQ
D1
-DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
B
A
, B
B
I/O
Data Input and Output pins. (x32/36 Versions)
P6, D6, D2, P2
I/O
Data Input and Output pins. (x36 Version)
P6, D6, D2, P2
L5, G5, G3, L3
-
I
No Connect (x32 Version)
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/O’s. Active Low. ( x36 Version)
P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6
D1, E2, G2, H1, K2, L1, M2, N1, P2
L5, G3
B1, C1, R1, T1, U2, J3, U3, D4, L4,
U4, J5, U5, U6, B7, C7, R7
P6, N7, M6, L7, K6, H7, G6, E6, D7,
D2, B1, E1, F2, G1, H2, K1, L2, N2,
P1, G5, L3, T4
K4
M4
H4
E4, B6
B2
F4
G4
A4, B4
T7
R5
R3
J2, C4, J4, R4, J6
D3, E3, F3, H3, K3, M3, N3, P3, D5,
E5, F5, H5, K5, M5, N5, P5
A1, F1, J1, M1, U1, A7, F7, J7, M7,
U7
I/O
Data Input and Output pins. (x18 Version)
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
I/O’s. Active Low. ( x18 Version)
NC
-
No Connect
NC
-
No Connect (x18 Version)
CK
BW
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Clock Input Signal. Active High.
Byte Write. Writes all enabled bytes. Active Low.
Global Write Enable. Writes all bytes. Active Low.
Chip Enable. Active Low.
Chip Enable. Active High.
Output Enable. Active Low.
Burst address counter advance enable. Active Low.
Address Strobe (Processor, Cache Controller). Active Low.
Sleep Mode control. Active High.
Flow Through or Pipeline mode. Active Low.
Linear Burst Order mode. Active Low.
Core power supply.
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
I
I/O and Core Ground.
V
DDQ
I
Output driver power supply.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840F18A | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
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| GS840FH18A | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS840E36AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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