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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E36A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（128K的× 36位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 17/31頁 |
| 文件大小： | 941K |
| 代理商： | GS840E36A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
17/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Conditions
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–1 uA
1uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
= –4 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
= –4 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 4 mA
–1 uA
–1 uA
1 uA
300 uA
Mode Pin Input Current
I
INM
–300 uA
–1uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
1.7 V
Output High Voltage
2.4 V
Output Low Voltage
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF
*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS840E36AB-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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