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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E36A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（128K的× 36位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 18/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 941K |
| 代理商： | GS840E36A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
18/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
Operating Currents
Parameter
Test
Conditions
Symbol
-
200
-
180
-
166
-
150
-
100
Unit
0 to
70°C
–40 to
85°C
0 to
70°C
–40 to
85°C
0 to
70°C
–40 to
85°C
0 to
70°C
–40 to
85°C
0 to
70°C
–40 to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
I
DD
Pipeline
I
DD
Flow-Thru
I
SB
Pipeline
I
SB
Flow-Thru
I
DD
Pipeline
I
DD
Flow-Thru
225
235
205
215
190
200
175
185
125
135
mA
135
145
135
145
125
135
125
135
100
110
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
–
0.2 V
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Deselect
Current
Device
Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
60
70
55
65
50
60
50
60
40
50
mA
45
55
40
50
40
50
40
50
35
45
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840E18 | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
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| GS840E36 | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
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參數(shù)描述 |
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| GS840E36AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E36AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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