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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840H18A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（256 × 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（4分位（256 × 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/31頁(yè) |
| 文件大小： | 940K |
| 代理商： | GS840H18A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
20/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840H18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2a
D2b
D2c
D2d
D3a
D1
a
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
Write specified byte for 2
a
and all bytes for 2
b
, 2
c
& 2
d
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E
1
inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Hi-Z
Write Cycle Timing
E
1
E
3
tS tH
tS tH
tS tH
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
E
2
Deselected with E
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS840H18AB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:2.5 OR 3.3V - Trays |
| GS840H18AB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:2.5 OR 3.3V - Trays |
| GS840H18AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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